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1N5817L	文件：152.37 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes	BYTES
1N5817-LFR	文件：120.94 Kbytes Page：2 Pages	1ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●EXTREMELYLOWVF ●LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY ●LOWSTOREDCHARGE,MAJORITYCARRIERCONDUCTION ●LEADFREE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
1N5817M	文件：59.09 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●HighCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingforTransientProtection ●GlassPackageforHighReliability ●PackagedforSurfaceMountApplications	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5817M	文件：58.05 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5817PT	文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE20-40VoltsCURRENT1.0Ampere	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
1N5817RL	文件：61.24 Kbytes Page：5 Pages	LOWDROPPOWERSCHOTTKYRECTIFIER DESCRIPTION AxialPowerSchottkyrectifiersuitedforSwitchModePowerSuppliesandhighfrequencyDCtoDCconverters.PackagedinDO41thesedevicesareintendedforuseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,polarityprotectionandsmallbatterychargers. FEATURESANDBENEF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5817RL	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817RL	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817RLG	文件：75.98 Kbytes Page：7 Pages	AxialLeadRectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
1N5817RLG	文件：249.43 Kbytes Page：9 Pages	AxialLeadRectifiersSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS1.0AMPERE20,30and40VOLTS ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeatures chromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivation andmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersin low−voltage,high−frequency	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	1N5817-D	ONSEMI/安森美	25+	SS12	65248	百分百原装现货实单必成	询价
深圳市一线半导体有限公司	1N5817DO-213AB1W	VISHAY/GeneralSemiconduc	24+	SMD	12200	新进库存/原装	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	1N5817E3	MICROCHIP(美国微芯)	24+	DO41	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	1N5817E3	Microchip Technology	25+	DO-41	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市科雨电子有限公司	1N5817-E3/53	VISHAY	1809+	DO-204	6675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市联世界科技有限公司	1N5817-E3/54	VISHAY	24+/25+	DO-204AL(DO-41)	22000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市达恩科技有限公司	1N5817-E3/54	Vishay	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价

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