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1N5817M

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ● High Current Capability ● Low Forward Voltage Drop ● Guard Ring for Transient Protection ● Glass Package for High Reliability ● Packaged for Surface Mount Applications

文件:59.09 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

1N5817M

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

文件:58.05 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

1N5817M-13

1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

文件:58.05 Kbytes 页数:2 Pages

DIODES

美台半导体

1N5817M-L

常规肖特基芯片

Jingheng

晶恒

1N5817M-13

Package:DO-213AB,MELF(玻璃);包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF

DIODES

美台半导体

技术参数

  • VBR(V):

    31-32

  • IR@VR(μA):

    20

  • VR(V):

    25

  • VF@IF(V):

    0.44

  • _IF(A):

    1

  • Tjm(℃):

    125

  • _IFSM(A):

    30

  • IRSM(A):

    2

  • HTIR@VR:

    30mA@25V 125°c

  • HBM(KV):

    8

  • MM(KV):

    2

  • IEC(KV):

    2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
GENERALSEMI
24+/25+
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原装正品现货库存价优
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VISHAY/GeneralSemiconduc
24+
DO-213ABLL41
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DO-213AB
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更多1N5817M供应商 更新时间2025-12-12 9:10:00