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1N5817SF	文件：332.7 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERReverseVoltage20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere ReverseVoltage20to40Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrent	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
1N5817SF	文件：332.7 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERReverseVoltage20to40VoltsForwardCurrent-1.0Ampere ReverseVoltage20to40Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrent	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
1N5817SF	文件：75.85 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage20to40Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrent	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
1N5817SF	文件：75.85 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5817-T	文件：46.84 Kbytes Page：3 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5817-T	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N5817-TB	文件：47.27 Kbytes Page：4 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5817-TB	文件：36.9 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity ProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5817T-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5817TR	文件：90.3 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,1.0A DESCRIPTION The1N5817axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleadedoutline	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	1N5817DO-213AB1W	VISHAY/GeneralSemiconduc	24+	SMD	12200	新进库存/原装	询价
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