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1N5814R

FAST RECOVERY POWER RECTIFIER

文件:59.77 Kbytes 页数:1 Pages

MICROSEMI

美高森美

1N5814R

Rectifier Diode Switching 2-Pin 100V, 20A, 35ns DO-4 Tray

This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is military qualified and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. The industry-recognized 20 amp rated rectifiers with working peak reverse voltages from 50 to 150 volts are hermetically sealed with void-less gl 175⁰C Juntion temperature\nVRRM 50 to 150 Volts\n20 Amps current rating.;

Microchip

微芯科技

1N5814R

Package:DO-203AA,DO-4,接线柱;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:RECTIFIER DIODE

MICROCHIP

微芯科技

产品属性

  • 产品编号:

    1N5814

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    20A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    300pF @ 10V,1MHz

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-203AA,DO-4,接线柱

  • 供应商器件封装:

    DO-203AA

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

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更多1N5814供应商 更新时间2026-1-22 13:30:00