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1N5821-T	文件：61.69 Kbytes Page：2 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5821-T	文件：56.98 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5821-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AD，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD	PAM Diodes Incorporated	PAM
1N5821-T3	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5821-TB	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5821-TP	文件：489.35 Kbytes Page：4 Pages	3 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 - 40 Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability •EpoxymeetsUL94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5821-T3	文件：45.79 Kbytes Page：4 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5821-TB	文件：45.79 Kbytes Page：4 Pages	3.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N5821-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AD，轴向；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5821US	文件：1.14577 Mbytes Page：8 Pages	3AmpSQ-MELFSchottkyBarrierRectifiers DESCRIPTION Thisseriesof3ampSchottkyrectifiersarecompactintheirsquareMELFpackagingforhighdensitymounting.The1N5822USand1N6864USaremilitaryqualifiedforhigh-reliabilityapplications. FEATURES •JEDECregisteredsurfacemountequivalentsof1N5820–1N5822and1N6864nu	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
1N5821-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-201AD
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N5821-T供应商更新时间2025-5-2 14:30:00

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