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1N5822G	文件：97 Kbytes Page：8 Pages	Axial Lead Rectifiers AxialLeadRectifiers ThisseriesemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow-volt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N5822G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：DO-201AA，DO-27，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
1N5822	文件：55.01 Kbytes Page：2 Pages	3AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-3.0Amperes) VOLTAGE20to40VoltsCURRENT3.0Ampere FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,f	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
1N5822	文件：76.69 Kbytes Page：2 Pages	3AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIERSVOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-3.0Ampere??? VOLTAGE-20to40VoltsCURRENT-3.0Ampere s	Surge SURGE COMPONENTS
1N5822	文件：168.51 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS3.0AMPERES20,30,40VOLTS AxialLeadRectifiers ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal–to–siliconpowerdiode.State–of–the–artgeometryfeatureschromebarriermetal,epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow–voltage,	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
1N5822	文件：159.19 Kbytes Page：2 Pages	3AMPERESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	TRSYS Transys Electronics
1N5822	文件：36.84 Kbytes Page：3 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司
1N5822	文件：25.11 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司
1N5822	文件：142.58 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMP.SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司
1N5822	文件：13.77 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGE:20TO40VCURRENT:3.0A FEATURES •Epitaxialconstructionforchip •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlength at5lbstension	SSEShanghai Sunrise Electronics Shanghai Sunrise Electronics
1N5822	文件：39.5 Kbytes Page：2 Pages	3.0AmpereSchottkyBarrierRectifiers Features •3.0ampereoperationatTA=95°C withnothermalrunaway. •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
1N5822	文件：36.18 Kbytes Page：2 Pages	3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5822AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/620 •3AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
1N5822	文件：169.09 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsliiconjunction,majoritycarrietconduction •Guardringforovercoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
1N5822	文件：151.43 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGERANGE20to40Volts CURRENT3.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability *Epitaxialconstruction	BYTES Bytes
1N5822	文件：392.88 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
1N5822	文件：32.8 Kbytes Page：2 Pages	3.0AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司
1N5822	文件：28.39 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES PRV:20-40Volts IO:3.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Highefficiency Lowpowerloss Lowcost Lowforwardvoltagedrop Pb/RoHSFree	EIC EIC
1N5822	文件：51.96 Kbytes Page：2 Pages	3.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FeaturesandBenefits •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,Free Wheeling,andPolarityProtectionApplicat	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
1N5822	文件：44.11 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop	GE GE Industrial Company
1N5822	文件：183.96 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to40Volts ForwardCurrent-3.0Amperes Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop	Good-Ark Good-Ark

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产品属性

产品编号：
1N5822G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AA，DO-27，轴向
供应商器件封装：
轴向
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD

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