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1N4150	文件：88.4 Kbytes Page：2 Pages	200mA Low Power, Switching 文件：88.4 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N4150	文件：147.61 Kbytes Page：3 Pages	COMPUTER DIODE Switching 文件：147.61 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N4150	文件：53.23 Kbytes Page：8 Pages	High-speed diodes DESCRIPTION The 1N4150 and 1N4151 are high-speed switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) packages. FEATURES • Hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) package • High switching speed: max. 4 ns • General app 文件：53.23 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
1N4150	文件：37.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Epitaxial Planar Diode FEATURES • Silicon epitaxial planar diode • Low forward voltage drop • AEC-Q101 qualified • High forward current capability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • High speed switch and general purpose use in computer and i 文件：37.88 Kbytes 页数：3 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
1N4150	文件：26.05 Kbytes Page：3 Pages	High Conductance Ultra Fast Diode High Conductance Ultra Fast Diodes • trr... 4.0 ns (MAX) • VF ... 1.0 V (MAX) @ 200 mA 文件：26.05 Kbytes 页数：3 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
1N4150	文件：78.13 Kbytes Page：3 Pages	Small Signal Fast Switching Diodes FEATURES • Silicon epitaxial planar diode • Low forward voltage drop • High forward current capability • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • High speed switch and general purpose use in computer and industrial applica 文件：78.13 Kbytes 页数：3 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
1N4150	文件：223.61 Kbytes Page：3 Pages	HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE DO-35 Glass Axial Package FEATURES General Purpose used in Computer and Industrial Applications 文件：223.61 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
1N4150	文件：66.51 Kbytes Page：1 Pages	Silicon switching diode DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3600, 1N4150, silicon planar epitaxial diode is characterized by its miniature size, ultra fast switching speed, low capacitance, low leakage, and high conductance. Accordingly, it is ideally suited for applications such as pulse applications, avalanche ci 文件：66.51 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
1N4150	文件：50.05 Kbytes Page：1 Pages	FAST SWITCHING DIODE Features • Ideal for Fast Logic Applications • Ultra Fast Switching • High Reliability • High Conductance 文件：50.05 Kbytes 页数：1 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
1N4150	文件：171.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Planar Diodes Ultrafast Recovery Rectifier Diodes Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) Mechanical Da 文件：171.91 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec

产品属性

产品编号：
1N4150
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2.5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳新景润电子科技有限公司	1N4150	群鑫	22+	DO-34/DO-35/SOD123	30000	原装正品一级代理	询价
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更多1N4150供应商更新时间2025-12-10 9:31:00

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