1N4150分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号	1N4150
参数属性	1N4150 封装/外壳为DO-204AH，DO-35，轴向；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
功能描述	Silicon switching diode
封装外壳	DO-204AH，DO-35，轴向
文件大小	66.51 Kbytes
页面数量	1 页
生产厂商	Central
中文名称	美国中央半导体
网址	网址
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更新时间	2025-11-13 8:59:00
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1N4150规格书详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3600, 1N4150, silicon planar epitaxial diode is characterized by its miniature size, ultra fast switching speed, low capacitance, low leakage, and high conductance. Accordingly, it is ideally suited for applications such as pulse applications, avalanche circuits, core drivers, and for any critical circuit requiring high conductance at power dissipation without sacrificing fast recovery capability. (Both devices have identical electrical and mechanical specifications).

产品属性

产品编号：
1N4150
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2.5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

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