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1N119WS

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE APPLICATIONS ● High speed switching

文件:312.78 Kbytes 页数:3 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

1N119WS

开关二极管

CBI

创基电子

1N119

GOLD BONDED DIODES

[VMI] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 22.0 A - 25.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time

文件:2.79285 Mbytes 页数:78 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

1N3317B

DO-5

1N4001

直插二极

1N4001

技术参数

  • VR(v):

    80

  • IO(A):

    0.1

  • VF(V):

    0.8~1.2

  • VFIF(mA):

    10~100

  • IR(uA):

    0.1

  • IRVR(V):

    80

  • trr(ns):

    3

  • PackageOutline:

    SOD-323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
1415+
TO-252
28500
全新原装正品,优势热卖
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NJSEMI
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NA
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23+
TO-251
6000
专注配单,只做原装进口现货
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IR/MSC
24+
DO-4
600
原装现货假一罚十
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IR/MSC
专业铁帽
DO-4
600
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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MICROSEMI
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
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N/A
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25+
1
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IR
22+
螺丝
8000
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更多1N119WS供应商 更新时间2025-11-25 11:04:00