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1N4001	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER Features •GlassPassivatedDieConstruction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto30APeak •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N4001	文件：697.41 Kbytes Page：1 Pages	1 AMP PLASTIC SILICON RECTIFIER	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
1N4001	文件：150.65 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP SILICON RECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES
1N4001	文件：45.28 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦H	GE GE Industrial Company	GE
1N4001	文件：153.34 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:250°C/10seconds,0.375(9.5mm)lead	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N4001	文件：427.58 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-1.0Ampere FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability	DCCOM Dc Components	DCCOM
1N4001	文件：177.42 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER ReverseVoltage50to1000VoltsForwardCurrent1.0Ampere Features ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecapability ♦Hightemperaturesoldering	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
1N4001	文件：59.19 Kbytes Page：2 Pages	1.0A RECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto30APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N4001	文件：32.2 Kbytes Page：2 Pages	1.0 AMP SILICON RECTIFIERS	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N4001	文件：48.72 Kbytes Page：2 Pages	1A GENERAL DIODES ReverseVoltage50to1200VForwardCurrent1.0A Feature PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesFlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecapability Diffusedjunction Hightemperature	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC

产品属性

产品编号：
1N4001
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4001供应商更新时间2025-6-7 8:59:00

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