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1N119	文件：2.79285 Mbytes Page：78 Pages	GOLD BONDED DIODES [VMI] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 22.0 A - 25.0 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time 文件：2.79285 Mbytes 页数：78 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
1N1190	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes 35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes 文件：377.04 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
1N1190	文件：556.27 Kbytes Page：2 Pages	Standard Recovery Diode, 35A Features • Glass passivated die • Low forward voltage drop • High surge capability • Low leakage current • Normal and Reverse polarity • Metric and UNF threads available 文件：556.27 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
1N1190	文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power Rectifiers Silicon-Power Rectifiers • Nominal current 35 A • Repetitive peak reverse voltage 50 ~ 1000 V • Metal case DO-5 • Weight approx. 6 g • Standard polarity: Cathode to stud • Index R: Anode to stud • Standard packaging: bulk 文件：160.63 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
1N1190	文件：113.39 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER Qualified per MIL-PRF-19500/297 • Glass Passivated Die • Glass to Metal Seal Construction • 500 Amps Surge Rating • VRRM to 1000 Volts 文件：113.39 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N1190	文件：128.81 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V 文件：128.81 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N1190	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A DESCRIPTION/FEATURES • Low leakage current series • Good surge current capability up to 1000 A • Can be supplied to meet stringent military, aerospace and other high reliability requirements • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：274.18 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
1N1190	文件：298.56 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Power Rectifier Silicon Power Rectifier • Glass Passivated Die • 800A surge rating • Glass to metal construction • VRRM to 1000V 文件：298.56 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N1190	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARD RECOVERY RECTIFIER STANDARD RECOVERY RECTIFIER 文件：124.01 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON
1N1190A	文件：124.01 Kbytes Page：3 Pages	STANDARD RECOVERY RECTIFIER STANDARD RECOVERY RECTIFIER 文件：124.01 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON

技术参数

Peak Reverse Current：
10uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
800A
Peak Forward Voltage：
1.19@90AV
Operating Junction Temperature：
-65 to 200°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Continuous Forward Current：
40A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	1N1190	IR	1215+	DO-5	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
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更多1N119供应商更新时间2025-12-1 9:03:00

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