了解 EiceDRIVER™ 200 V 适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET 的高边 TDI 栅极驱动芯片

1EDN71x6Gx 是单通道栅极驱动芯片系列，针对英飞凌  CoolGaN™  SG HEMT 以及其他 GaN SG HEMT 和硅 MOSFET 进行了优化。 该栅极驱动器包含几个关键特性，可通过快速开关晶体管实现高性能系统设计，包括真正差分输入 (TDI)、2 A 峰值源电流和灌电流、有源米勒钳位、可调电荷泵和自举电压钳位。 • 多级开关技术\n• +4V 至 +26V PVDD\n• 四阶反馈误差控制\n• 2W 功率时效率 80%\n• 110dB SNR、AW、1% THD+N 水平\n• 0.007%高输出电平下的 THD+N\n• 具有可选地址的 I2C;

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200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

文件：12.41516 Mbytes 页数：38 Pages

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Package：10-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRIVER HI/LO SIDE 10VSON

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200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs

Features • Optimized for driving GaN SG HEMTs and Si MOSFETs • Fully diferential logic input circuitry to avoid false triggering in low-side or high-side operation • High common-mode input voltage range (CMR) up to ± 200 V for high side operation • High immunity to common-mode voltage transi

文件：1.59964 Mbytes 页数：34 Pages

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