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1EDN7116G集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

1EDN7116G
厂商型号

1EDN7116G

参数属性

1EDN7116G 封装/外壳为10-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRIVER HI/LO SIDE 10VSON

功能描述

200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs
IC GATE DRIVER HI/LO SIDE 10VSON

封装外壳

10-VFDFN 裸露焊盘

文件大小

12.41516 Mbytes

页面数量

38

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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1EDN7116G规格书详情

1EDN7116G属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由英飞凌科技股份公司制造生产的1EDN7116G栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    1EDN7116GXTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    EiceDRIVER™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    高压侧或低压侧

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.2V ~ 11V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    3ns,3ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    PG-VSON-10-4

  • 描述:

    IC GATE DRIVER HI/LO SIDE 10VSON

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