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ADM12N10E	文件：1.13556 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
BRF12N10	文件：794.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CED12N10	文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CED12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED12N10	文件：978.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU12N10	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
12N10L
制造商：
UTC-IC
制造商全称：
UTC-IC
功能描述：
12A, 100V N-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	12N10L	UTC	20+	TO-252	38900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	12N10L	UTC/友顺	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	12N10L	VBsemi	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	12N10L	UTC/友顺	2022+	TO-252	6880	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市威雅利发展有限公司	12N10L	VBsemi	21+	TO252	10065	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	12N10L	UTC/友顺	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,绝对原装假一罚十	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	12N10L	UTC/友顺	24+	NA/	4300	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	12N10L	UTC/友顺	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	12N10L	UTC	25+	TO-252	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市博中泰实业有限公司	12N10L	UTC/友顺	24+	TO-252	60000		询价

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