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BRF12N10

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package

文件:794.16 Kbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

BRF12N10

MOSFET/场效应管

BlueRocket

蓝箭电子

CED12N10

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 11A, RDS(ON) = 180mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

文件:140.95 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CED12N10

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.30558 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

CED12N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • DT-TrenchPower MOSFET • 175 °C Junction Temperature • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Primary Side Switch

文件:978.88 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

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更多BRF12N10供应商 更新时间2026-1-21 14:02:00