CED12N10L资料使用说明书市场行情VBSEMI-114ic电子网

首页 >CED12N10L>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
CED12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU12N10	文件：1.01053 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU12N10	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU12N10L	文件：577.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CMD12N10	文件：1.01051 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
CED12N10L
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	CED12N10L	CET/華瑞	25+	TO-251	156629	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CED12N10L	CET/華瑞	24+	TO-252	499547	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市华来深电子有限公司	CED12N10L	VBsemi	23+	TO-251	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
艾睿国际（香港）有限公司	CED12N10L	VBsemi(台湾微碧)	2447	TO-251	105000	80个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CED12N10L	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED12N10L	CET/華瑞	2022+	TO-252	24075	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CED12N10L	C	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CED12N10L	CET	20+	TO-252	100	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市振宏微科技有限公司	CED12N10L	VBsemi/台湾微碧	23+	TO-251	28000	原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	CED12N10L	VBsemi/台湾微碧	23+	TO-251	12800	公司只有原装欢迎来电咨询。	询价

更多CED12N10L供应商更新时间2025-5-7 16:26:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号