| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
丝印：11N60C2；Package：P-TO220-3-31；Cool MOS??Power Transistor Feature 1. New revolutionary high voltage technology 2. Ultra low gate charge 3. Periodic avalanche rated 4. Extreme dv/dt rated 5. Ultra low effective capacitances 文件：160.17 Kbytes 页数：14 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
丝印：11N60C2；Package：P-TO263-3-2；Cool MOS??Power Transistor Feature 1. New revolutionary high voltage technology 2. Ultra low gate charge 3. Periodic avalanche rated 4. Extreme dv/dt rated 5. Ultra low effective capacitances 文件：160.17 Kbytes 页数：14 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
丝印：11N60C2；Package：P-TO220-3-1；Cool MOS??Power Transistor Feature 1. New revolutionary high voltage technology 2. Ultra low gate charge 3. Periodic avalanche rated 4. Extreme dv/dt rated 5. Ultra low effective capacitances 文件：160.17 Kbytes 页数：14 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
11N60C2 | 丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.8644 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
11N60C2 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.85385 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.8644 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
11N60C2
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7936 |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
询价 | ||
infineon |
18+ |
TO-263 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
TO220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
INFINEON |
1709+ |
TO-263/D2 |
32500 |
普通 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
TO263-3-2 |
20000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 |
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