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11N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.85356 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60C3

Cool MOS™ Power Transistor

Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance • PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

文件:683.7 Kbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

11N60S5

Cool MOS??Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance

文件:335.41 Kbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

11N60C2

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.85385 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60C2

丝印:D2PAK;Package:TO-263;N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.8644 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60C2_V01

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.8644 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60C3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.84713 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60CFD

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.03276 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60E

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.94216 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

11N60KG-TF2-T

N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET

文件:220.51 Kbytes 页数:6 Pages

UTC

友顺

技术参数

  • Vdss(V):

    600

  • Vgss(V):

    ±30

  • Id(A):

    11

  • Package:

    TO-220F2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VBsemi/台湾微碧
23+
TO-220F
12800
公司只有原装,欢迎来电咨询。
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infine
25+23+
TO-220
24696
绝对原装正品全新进口深圳现货
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FK
22+
TO-263
6000
十年配单,只做原装
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INFINE
23+
TO-220
28000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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FCS
2023+
TO-220
50000
原装现货
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FK
23+
TO-263
8400
专注配单,只做原装进口现货
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INFINEON
23+
TO-220
7000
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24+
TO-262
868
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TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
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INFINEON
24+
TO-263
5642
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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更多11N60供应商 更新时间2026-4-10 15:48:00