型号：RMP10N65IP；Package：TO-251；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：466.4 Kbytes 页数：5 Pages

RECTRON

型号：RMP10N65LD；Package：TO-252；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：466.4 Kbytes 页数：5 Pages

RECTRON

型号：RMP10N65T2；Package：TO-220；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：466.4 Kbytes 页数：5 Pages

RECTRON

型号：RMP10N65TI；Package：TO-220F；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

FEATURES • Low Crss • Low gate charge • Fast switching • Improved ESD capability • Improved dv/dt capability • 100% avalanche energy test

文件：466.4 Kbytes 页数：5 Pages

RECTRON

型号：10N65；Package：TO-220C；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.07913 Mbytes 页数：10 Pages

WXDH

东海半导体

型号：10N65；Package：TO-220C；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.07854 Mbytes 页数：10 Pages

WXDH

东海半导体

型号：10N65；Package：TO-220C；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.07919 Mbytes 页数：10 Pages

WXDH

东海半导体

型号：10N65；Package：TO-220C；10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：1.0784 Mbytes 页数：10 Pages

WXDH

东海半导体

型号：YFW10N65A2；Package：TO-220F(0.5mm)；10A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

文件：984.99 Kbytes 页数：6 Pages

YFWDIODE

佑风微电子

型号：YFW10N65A3；Package：TO-263；10A 650V N-channel enhancement mode field effect transistor

文件：984.99 Kbytes 页数：6 Pages

YFWDIODE

佑风微电子