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Marking：10K4L；Package：SO-8；P-channel 40 V, 0.0125 廓 typ., 10 A, StripFET??F6 Power MOSFET in SO-8 package Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™F6technology withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
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