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100N02

100A, 15V N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

The UTC 100N02 is an N-channel Power Trench MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and high switching speed.  The UTC 100N02 is generally applied in synchronous Rectification or DC to DC convertor. • RDS(ON)<12mΩ@ VGS=10V, ID =55A \n• Low Gate Charge (Typical 46nC) \n• High Switching Speed \n• High Power and Current Handling Capability;

UTC

友顺

100N02

100A, 15V N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

文件:133.68 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

HM100N02

High density cell design for ultra low Rdson

文件:778.92 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM100N02K

High density cell design for ultra low Rdson

文件:550.6 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

RUS100N02

Nch 20V 10A Middle Power MOSFET

文件:2.85249 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • VGS(±V):

    ±8

  • ID(A):

    100

  • RDS(ON)MAX.(mΩ)atVGS=4.5V:

    7.5

  • CISSTYP.(pF):

    3565

  • COSSTYP.(pF):

    1310

  • CRSSTYP.(pF):

    395

  • QgTYP.(nC):

    46

  • QgsTYP.(nC):

    6.9

  • QgdTYP.(nC):

    9.8

  • VGS(th)(V)MIN.:

    0.5

  • VGS(th)(V)MAX.:

    1.2

  • Package:

    TO-251_TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
UTC/友顺
2022+
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7500
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更多100N02供应商 更新时间2026-10-22 14:01:00