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RUS100N02

Nch 20V 10A Middle Power MOSFET

文件:2.85249 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

RUS100N02

Nch 20V 10A 中功率MOSFET

• Low on - resistance.\n• High Power small mold Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

RUS100N02TB

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.00659 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

100N02

100A, 15V N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

文件:133.68 Kbytes 页数:3 Pages

UTC

友顺

HM100N02

High density cell design for ultra low Rdson

文件:778.92 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM100N02K

High density cell design for ultra low Rdson

文件:550.6 Kbytes 页数:6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    SOP8

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    SOP8

  • Package Size[mm]:

    5.0x6.0 (t=1.75)

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    20

  • Drain Current ID[A]:

    10.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.):

    0.013

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.009

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.008

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.013

  • Total gate charge Qg[nC]:

    24.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    2.0

  • Drive Voltage[V]:

    1.5

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RUS100N02供应商 更新时间2026-1-23 15:08:00