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HM100N02	文件：778.92 Kbytes Page：6 Pages	丝印：HM100N02；Package：TO-220-3L；High density cell design for ultra low Rdson 文件：778.92 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM100N02K	文件：550.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：HM100N02K；Package：TO-252-2L；High density cell design for ultra low Rdson 文件：550.6 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM100N02	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM100N02K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi

封装（Package）：
TO-220
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
20.00V
ID(Max)ID(A)：
100.00A
IDM：
350.00A
VTH(Typ)：
0.65V
VGS：
12.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
4.50mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
6.50mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AOD424/NTD100N02/MTD100N02/FU100N02/SUD100N02/IRFR3704Z/IRFR3711Z/IRLR6225

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