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SPI07N60C3	文件：625.63 Kbytes Page：15 Pages	NewrevolutionaryhighvoltagetechnologyUltralowgatechargeExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPI07N60C3	文件：374.19 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •PG-TO-220-3-31;-3-111:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute) •Pb-freeleadplating;RoHScomplian	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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SPP07N60C3	文件：339.45 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPU07N60C3	文件：247.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-251(IPAK)packaging •Highspeedswitching •Easytouse •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Powersupply •DC-DCconverters •Motorcontrol •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPU07N60C3	文件：953.21 Kbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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