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068N10N	文件：590.4 Kbytes Page：8 Pages	型号：IPD068N10N3G；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET Features •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •(VGS=10V) •VDS(V)=100V •ID=90A •RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司

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068N10N

文件：590.4 Kbytes

Page：8 Pages

型号：IPD068N10N3G；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET

Features •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification •(VGS=10V) •VDS(V)=100V •ID=90A •RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

详细参数

型号：
068N10N
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
功能描述：
N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

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更多068N10N供应商更新时间2025-8-3 14:01:00

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