IPD068N10N3G芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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IPD068N10N3G	文件：590.4 Kbytes Page：8 Pages	丝印：068N10N；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET Features • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 175 °C operating temperature • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification •(VGS = 10V) •VDS (V) =100V •ID =90A •RDS(ON) 文件：590.4 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
068N10N	文件：590.4 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel MOSFET Features • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 175 °C operating temperature • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification •(VGS = 10V) •VDS (V) =100V •ID =90A •RDS(ON) 文件：590.4 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市金芯世纪电子有限公司	IPD068N10N3G	INFINEON			100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价

更多068N10N供应商更新时间2025-9-21 14:02:00