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069N20N6	文件：1.68147 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPP069N20NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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069N20N6

文件：1.68147 Mbytes

Page：11 Pages

型号：IPP069N20NM6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features •N-channel,normallevel •Verylowon-resistanceRDS(on) •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowreverserecoverycharge(Qrr) •Highavalancheenergyrating •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

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更多069N20N6供应商更新时间2025-7-31 18:59:00

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