丝印：0504S；Package：SOT-363；4-Line Ultra Low Capacitance TVS Diode Array

Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 5V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±25kV Contact discharge: ±20kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20μs) RoHS Compliant

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LEIDITECH

雷卯电子

丝印：0505；Package：SOT-26；4-Line Bi-direction TVS Diode Array

Features ● Protects up to 5 lines ● Low leakage: nA level ● Low clamping voltage ● Excellent surge protection (80W at 8/20μs) ● Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±30kV Contact discharge: ±30kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (

文件：1.66702 Mbytes 页数：4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

丝印：0506；Package：DFN4120-10；6-Line Ultra Low Capacitance TVS Diode Array

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APMICROApplied Power Microelectronics Co.,Ltd.

应能江苏应能微电子股份有限公司

丝印：050N03LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-MOSFET

文件：391.15 Kbytes 页数：10 Pages

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英飞凌

丝印：050N03LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-MOSFET

文件：527.82 Kbytes 页数：10 Pages

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丝印：050N03MS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件：299.27 Kbytes 页数：10 Pages

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英飞凌

丝印：050N03MS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET

文件：530.58 Kbytes 页数：10 Pages

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英飞凌

丝印：050N04LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

文件：526.2 Kbytes 页数：10 Pages

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英飞凌

丝印：050N04LS；Package：TDSON-8；OptiMOS?? Power-Transistor

文件：391.86 Kbytes 页数：10 Pages

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英飞凌

丝印：0503；Package：MG-WDSON-2；Power-MOSFET

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