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NCE0102B

丝印:0102B;Package:SOT-23;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE0102B uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 1.8A RDS(ON)

文件:351.44 Kbytes 页数:7 Pages

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

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更多0102B供应商 更新时间2025-8-13 13:01:00