丝印：00100110；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = open

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安世

丝印：00101100；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = open

文件：724.27 Kbytes 页数：12 Pages

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安世

丝印：00101101；Package：DFN1006B-3；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 10 k廓

文件：627.58 Kbytes 页数：12 Pages

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安世

丝印：00101111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = open

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安世

丝印：00110001；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓

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安世

丝印：00110010；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = open

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丝印：00110101；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = open

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丝印：00110110；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓

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丝印：00111000；Package：SOT883B；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = open

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丝印：00110100；Package：DFN1006B-3；Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes

文件：701.84 Kbytes 页数：12 Pages

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