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-7C	文件：93.83 Kbytes Page：14 Pages	型号：PDTA115EU；Package：SOT-323；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kW, R2 = 100 kW PNPresistor-equippedtransistors;R1=100kΩ,R2=100kΩ DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Re	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
-7C	文件：189.96 Kbytes Page：14 Pages	型号：PDTA115EU；Package：SOT-323；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓 DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif
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PHIPhilips Semiconductors

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型号：PDTA115EU；Package：SOT-323；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 k廓, R2 = 100 k廓

DESCRIPTION PNPresistor-equippedtransistor(see“Simplifiedoutline,symbolandpinning”forpackagedetails). FEATURES •Built-inbiasresistors •Simplifiedcircuitdesign •Reductionofcomponentcount •Reducedpickandplacecosts. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplif

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型号：PDTA115EU；Package：SOT-323；Low VCEsat (BISS) transistors

PHIPhilips Semiconductors

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PHI

详细参数

型号：
-7C
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多-7C供应商更新时间2025-7-31 14:14:00

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