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ZXTN25060BZQ中文资料60V NPN TRANSISTOR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89数据手册Diodes规格书

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厂商型号

ZXTN25060BZQ

参数属性

ZXTN25060BZQ 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 5A SOT89-3

功能描述

60V NPN TRANSISTOR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89
TRANS NPN 60V 5A SOT89-3

封装外壳

TO-243AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:02:00

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ZXTN25060BZQ规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

特性 Features

BVCEX > 150V
BVCEO > 60V BVECO > 6V
IC = 5A Continuous Collector Current
VCE(SAT) < 70mV @ 1A
RCE(SAT) = 48mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
Very Low Saturation Voltages
Excellent hFE Characteristics
6V Reverse Blocking Capability

应用 Application

Motor Driving (Including DC Fans)
Solenoid, Relay and Actuator Drivers
DC-DC Modules
Power Switches
MOSFET Gate Drivers

简介

ZXTN25060BZQ属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的ZXTN25060BZQ晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :ZXTN25060BZQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :5 A

  • ICM

    :10 A

  • PD

    :1.8 W

  • hFE

    :90 Min

  • hFE (@ IC)

    :1 A

  • hFE (Min 2)

    :45

  • hFE (@ IC2)

    :2 A

  • VCE (SAT) Max

    :90 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/50

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :230 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :4/400

  • fT

    :N/A MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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