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ZXT10P20DE6Q数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

ZXT10P20DE6Q

参数属性

ZXT10P20DE6Q 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 20V 2.5A SOT26

功能描述

20V PNP LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR IN SOT26

封装外壳

SOT-23-6

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

原厂标识
Diodes
数据手册

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更新时间

2025-8-5 14:43:00

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ZXT10P20DE6Q规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

•BVCEO > -20V
•IC = -2.5A Continuous Collector Current
•ICM = -6A Peak Pulse Current
•RCE(SAT) = 96mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
•Low Saturation Voltage (-220mV Max @ -1A)
•hFE Characterized up to -6A for High Current Gain Hold-Up
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. \"Green\" Device (Note 3)
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable (Note 4)

应用 Application

•DC-DC Converters
•Power Management Functions
•Power Switches
•Motor Control

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXT10P20DE6Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :PNP

  • IC

    :2.5 A

  • ICM

    :6 A

  • PD

    :1.1 W

  • hFE

    :300 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.1 A

  • hFE (Min 2)

    :150

  • hFE (@ IC2)

    :2 A

  • VCE (SAT) Max

    :220 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1 / 20

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :1.5 / 50

  • fT

    :150 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT26 (SC74R)

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