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ZXT10P20DE6中文资料PNP, 20V, 2.5A, SOT26数据手册Diodes规格书
ZXT10P20DE6规格书详情
描述 Description
This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex
matrix structure combined with advanced assembly techniques to give
extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low
voltage switching applications.
应用 Application
DC - DC ConvertersPower Management FunctionsPower switchesMotor control
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
ZXT10P20DE6属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ZXT10P20DE6晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：ZXT10P20DE6
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance(Only Automotive supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：PNP
- IC (A)
：2.5
- ICM (A)
：6
- PD (W)
：1.1
- hFE (Min)
：300
- hFE (@ IC) (A)
：0.1
- hFE(Min 2)
：150
- hFE (@ IC2) (A)
：2
- VCE(sat) Max (mV)
：30
- VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)
：0.1/10
- VCE(sat) (Max.2) (mV)
：250
- VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)
：1.5 / 50
- fT (MHz)
：180
- RCE(sat) (mΩ)
：96
- Packages
：SOT26
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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