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ZXT10N20DE6数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

ZXT10N20DE6

参数属性

ZXT10N20DE6 封装/外壳为SOT-23-6;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6

功能描述

NPN, 20V, 3.5A, SOT26

封装外壳

SOT-23-6

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-9 17:00:00

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ZXT10N20DE6规格书详情

描述 Description

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex
matrix structure combined with advanced assembly techniques to give
extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low
voltage switching applications.

应用 Application

DC - DC ConvertersPower Management FunctionsPower switchesMotor control
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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :ZXT10N20DE6

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :NPN

  • IC (A)

    :3.5

  • ICM (A)

    :19

  • PD (W)

    :1.1

  • hFE (Min)

    :300

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.2

  • hFE(Min 2)

    :200

  • hFE (@ IC2) (A)

    :2

  • VCE(sat) Max (mV)

    :15

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.1/10

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :135

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :2/50

  • fT (MHz)

    :140

  • RCE(sat) (mΩ)

    :55

  • Packages

    :SOT26

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