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ZXM66P02N8TA	文件：615.6 Kbytes Page：5 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThishighdensityMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsofalowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltagepowermanagementapplications.ComparedtotrenchFETtechnology,thisMOSFETstruct	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXM66P02N8TA	文件：49.22 Kbytes Page：4 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-20V;RDS(ON)=0.025D=-8.0A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagement	Zetex Zetex Semiconductors
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ZXM66P02N8	文件：59.06 Kbytes Page：4 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors
ZXM66P02N8	文件：615.6 Kbytes Page：5 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThishighdensityMOSFETutilizesauniquestructurethatcombinesthebenefitsofalowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesitidealforhighefficiency,lowvoltagepowermanagementapplications.ComparedtotrenchFETtechnology,thisMOSFETstruct	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
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ZXM66P02N8TC	文件：49.22 Kbytes Page：4 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-20V;RDS(ON)=0.025D=-8.0A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagement	Zetex Zetex Semiconductors
ZXM66P02N8TC	文件：59.06 Kbytes Page：4 Pages	20VP-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	Zetex Zetex Semiconductors

详细参数

型号：
ZXM66P02N8TA
功能描述：
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多ZXM66P02N8TA供应商更新时间2024-4-26 17:25:00

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