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ZXM62P02E6TA	文件：203.8 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET V(BR)DSS=-20V;RDS(ON)=0.20V;ID=-2.3A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplicat	Zetex Zetex Semiconductors
ZXM62P02E6TA	文件：184.13 Kbytes Page：7 Pages	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET V(BR)DSS=-20V;RDS(ON)=0.20V;ID=-2.3A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagementapplicat	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXM62P02E6TA	文件：456.74 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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详细参数

型号：
ZXM62P02E6TA
功能描述：
MOSFET 20V P-Chnl HDMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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