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ZXM64P035L3	文件：97.53 Kbytes Page：4 Pages	35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=-35V:RDS(on)=0.075:ID=-12A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighcelldensityplanarMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvolta	Zetex Zetex Semiconductors
ZXM64P035L3	文件：112.39 Kbytes Page：4 Pages	35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXM64P035L3	文件：955.61 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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ZXM64P035L3

文件：97.53 Kbytes

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35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

SUMMARY V(BR)DSS=-35V:RDS(on)=0.075:ID=-12A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighcelldensityplanarMOSFETsfromZetexutilisesauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvolta

Zetex

Zetex Semiconductors

ZXM64P035L3

文件：112.39 Kbytes

Page：4 Pages

35V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

ZXM64P035L3

文件：955.61 Kbytes

Page：7 Pages

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

详细参数

型号：
ZXM64P035L3
功能描述：
MOSFET 35V P-Chnl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多ZXM64P035L3供应商更新时间2024-4-26 17:25:00

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