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ZXM62N02E6TA	文件：186.35 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V;RDS(ON)=0.1V;ID=3.2A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutiliseauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagement	Zetex Zetex Semiconductors
ZXM62N02E6TA	文件：192.49 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V;RDS(ON)=0.1V;ID=3.2A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutiliseauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagement	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZXM62N02E6TA	文件：483.3 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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ZXM62N02E6	文件：186.35 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V;RDS(ON)=0.1V;ID=3.2A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutiliseauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagement	Zetex Zetex Semiconductors
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ZXM62N02E6	文件：192.49 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V;RDS(ON)=0.1V;ID=3.2A DESCRIPTION ThisnewgenerationofhighdensityMOSFETsfromZetexutiliseauniquestructurethatcombinesthebenefitsoflowon-resistancewithfastswitchingspeed.Thismakesthemidealforhighefficiency,lowvoltage,powermanagement	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
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详细参数

型号：
ZXM62N02E6TA
功能描述：
MOSFET 20V N-Chnl HDMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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