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ZXM61N02F	文件：208.71 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.18V;ID=1.7A DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：208.71 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXM61N02F	文件：218.08 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 20 Volts MOSFETs Non isolated DC-DC converter circuits Battery pack switches Motor drive Disconnect switches 文件：218.08 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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ZXM61N02F	文件：237.05 Kbytes Page：3 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：237.05 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
ZXM61N02F_15	文件：218.08 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：218.08 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXM61N02FTA	文件：1.05161 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.05161 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXM61N02F	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

详细参数

型号：
ZXM61N02
功能描述：
MOSFET 20V N Chnl HDMOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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