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ZVN4525G

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This 250V enhancement mode N-channel MOSFET provides users with a\ncompetitive specification offering efficient power handling capability, high\nimpedance and is free from thermal runaway and thermally induced\nsecondary breakdown. Applications benefiting from this device include a\nvariety of Telec

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    On Request*

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    250 V

  • VGS:

    40 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.31 A

  • PD @ TA = +25°C:

    2 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    8500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    9000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    9500 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.8 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SOT223

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更多ZVN4525G供应商 更新时间2026-2-7 14:14:00