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ZVNL120G	文件：47.65 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET FEATURES * VDS - 200V * RDS(ON) - 10Ω PARTMARKING DETAIL - ZVNL120 文件：47.65 Kbytes 页数：3 Pages	ZETEX	ZETEX
ZVNL120G	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Description This new generation trench MOSFET features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits • High Voltage • Low On-resistance • Fast Switching Speed • Low G 文件：58.78 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVNL120G	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET 文件：58.78 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ZVNL120G_15	文件：567.48 Kbytes Page：6 Pages	200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：567.48 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVNL120GTA	文件：567.48 Kbytes Page：6 Pages	200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：567.48 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVNL120GTA	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET 文件：58.78 Kbytes 页数：3 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ZVNL120GTC	文件：567.48 Kbytes Page：6 Pages	200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：567.48 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVNL120G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
200 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.32 A
PD @ TA = +25°C：
2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
10000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT223

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