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ZVP3310F	文件：112.05 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES * 100 Volt VDS *RDS(on)=20Ω 文件：112.05 Kbytes 页数：2 Pages	Zetex	Zetex
ZVP3310F	文件：123.95 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=20Ω COMPLEMENTARY TYPE - ZVN3310F PARTMARKING DETAIL - MR 文件：123.95 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP3310FTA	文件：123.95 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT FEATURES * 100 Volt VDS * RDS(on)=20Ω COMPLEMENTARY TYPE - ZVN3310F PARTMARKING DETAIL - MR 文件：123.95 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP3310FTA	文件：493.78 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • Ultra Low On-Resistance • Small Size APPLICATIONS • Active Clamp Circuits in DC/DC Power Supplies 文件：493.78 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZVP3310F_15	文件：123.95 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET 文件：123.95 Kbytes 页数：2 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP3310F	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
ZVP3310FQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications\n\n	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
100 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.075 A
PD @ TA = +25°C：
0.33 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多ZVP3310F供应商更新时间2025-12-11 14:13:00

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