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ZVP4525E6	文件：406.04 Kbytes Page：8 Pages	丝印：P52；Package：SOT-26；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DESCRIPTION This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a varie 文件：406.04 Kbytes 页数：8 Pages	Zetex	Zetex
ZVP4525E6	文件：417.16 Kbytes Page：8 Pages	丝印：P52；Package：SOT-26；250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification. It offers efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a var 文件：417.16 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP4525E6	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a\ncompetitive specification offering efficient power handling capability, high\nimpedance and is free from thermal runaway and thermally induced\nsecondary breakdown. Applications benefiting from this device include a\nvariety of Telec	Diodes 美台半导体	Diodes
ZVP4525E6TC	文件：417.15 Kbytes Page：8 Pages	250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This 250V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification. It offers efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device include a var 文件：417.15 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP4525E6_15	文件：318.24 Kbytes Page：7 Pages	250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：318.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP4525E6TA	文件：318.24 Kbytes Page：7 Pages	250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：318.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZVP4525E6TC	文件：318.24 Kbytes Page：7 Pages	250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：318.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
P
ESD Diodes：
No
VDS：
250 V
VGS：
40 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.197 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
14000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
18000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
2.45 nC
Packages：
SOT26 (SC74R)

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