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ZVNL120G	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ZVNL120G	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODE Description ThisnewgenerationtrenchMOSFETfeaturesauniquestructurecombiningthebenefitsoflowon-resistanceandfastswitching,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. FeaturesandBenefits •HighVoltage •LowOn-resistance •FastSwitchingSpeed •LowG	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVNL120G	文件：47.65 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET FEATURES VDS-200V RDS(ON)-10Ω PARTMARKINGDETAIL-ZVNL120	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVNL120GTA	文件：58.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT223N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDVERTICALDMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ZVNL120GTA	文件：567.48 Kbytes Page：6 Pages	200VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVNL120GTC	文件：567.48 Kbytes Page：6 Pages	200VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZWD120-FWX-W	文件：704.62 Kbytes Page：3 Pages	AC/DCSWITCHINGPOWERSUPPLYDUALOUTPUT120WATTSUNIVERSALINPUT Highreliability Burn-inandhi-pottested FlexibleDCoutputcombinationfrom3.3Vto48V Safetyapprovals(Pending),EMCcompliance Overloadprotection Short-circuitprotection Overtemperatureprotection	ETA-USA eta-usa	ETA-USA
ZX120	文件：114.6 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation12.5W •NominalZ-voltage10...200V •MetalcaseDO-4 •Weightapprox.5.5g •Standardpolarity:Cathodetos	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZX120	文件：112.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) Silicon-Power-Z-Diodes(non-planartechnology) •Maximumpowerdissipation12.5W •NominalZ-voltage10...200V •MetalcaseDO-4 •Weightapprox.5.5g •Standardpolarity:Cathodetos	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
ZX120	文件：166.88 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerZDiodes SiliconPowerZDiodes •Maximumpowerdissipation12.5W •NominalZ-voltage3.9…200V •MetalcaseDO-4 •Weightapprox.5.5g •Standardpolarity:Cathodetostud/Gewinde •IndexR:Anodeto	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
ZVNL120CSTOB
功能描述：
MOSFET P-Chnl 200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZVNL120CSTOB供应商更新时间2025-7-20 10:30:00

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