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ZVN4106F	文件：41.02 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARMARKINGDETAIL-MZ	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVN4106F	文件：52.09 Kbytes Page：2 Pages	SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Features •BVDSS>60V •RDS(on)≤2.5Ω@VGS=10V •MaximumcontinuousdraincurrentID=200mA •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVN4106F	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes
ZVN4106FTA	文件：1.00447 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ZVN4106FTA	文件：327.29 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET IN SOT23 Features •BVDSS>60V •RDS(on)≤2.5Ω@VGS=10V •MaximumcontinuousdraincurrentID=200mA •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVN4106F_15	文件：327.29 Kbytes Page：6 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET IN SOT23	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZVN4106FTA	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET IN SOT23;	DiodesDiodes Incorporated 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.33 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
5000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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