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BD788	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD788	文件：131.49 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor COMPLEMENTARYPLASTICSILICONANNULAR*POWERTRANSISTORS 4AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON45,6OVOLTS15WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD788G	文件：106.84 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforlowerpoweraudioamplifierandlowcurrent,high−speedswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)60Vdc(Min) •HighCurrent−Gain−BandwidthProductfT=	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD788G	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BGE788	文件：67.61 Kbytes Page：7 Pages	CATVamplifiermodule Generaldescription HybridhighdynamicrangeamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatasupplyvoltageof24V(DC).Themoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Highgain ■Excellentreturnlossp	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BGE788	文件：46.58 Kbytes Page：7 Pages	750MHz,34dBgainpush-pullamplifier	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BGE788C	文件：44.75 Kbytes Page：7 Pages	750MHz,34dBgainpush-pullamplifier Generaldescription Hybridhighdynamicrangeamplifiermoduleoperatingatasupplyvoltageof24V(DC)inaSOT115Jpackage.Themoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Highgain ■Excellentreturnlossp	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BO788	文件：105.89 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYPLASTICSILICONANNULARPOWERTRANSISTORS COMPLEMENTARYPLASTICSILICONANNULAR*POWERTRANSISTORS 4AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON45,6OVOLTS15WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
CMCP788A	文件：507.58 Kbytes Page：2 Pages	PremiumTopEntryAccelerometer,2PinMS5015 Features •PrecisionTopEntryAccelerometer •100mV/g±5 •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •2PinMS5015Connector •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25MountingStudsIncluded •SealedtoIP68	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788A-I	文件：502.85 Kbytes Page：2 Pages	PremiumTopEntryAccelerometer,ArmoredBraidedCable Features •PrecisionTopEntryAccelerometer •100mV/g±5 •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralBraidedArmoredCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25MountingStudsIncluded •Sealed	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi

产品属性

产品编号：
ZTX788BSTOA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 10mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
500 @ 10mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
TRANS PNP 15V 3A E-LINE

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