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BD788	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors BD787->NPN BD788->PNP 4AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS15WATTS ...designedforlowerpoweraudioamplifierandlowcurrent,high–speedswitching applications. •LowCollector–EmitterSustainingVoltageVCEO(sus)60Vdc(Min)—BD787,BD78	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BD788	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforlowerpoweraudioamplifierandlowcurrent,high−speedswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)60Vdc(Min) •HighCurrent−Gain−BandwidthProductfT=	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD788	文件：131.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor COMPLEMENTARYPLASTICSILICONANNULAR*POWERTRANSISTORS 4AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON45,6OVOLTS15WATTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD788	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD788	文件：249.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD788	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD788G	文件：106.84 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors ComplementaryPlasticSiliconPowerTransistors Thesedevicesaredesignedforlowerpoweraudioamplifierandlowcurrent,high−speedswitchingapplications. Features •LowCollector−EmitterSustainingVoltage−VCEO(sus)60Vdc(Min) •HighCurrent−Gain−BandwidthProductfT=	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD788G	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD7881GU-E2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：IC XENON TUBE DVR CELL VCSPH3	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD788G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 4A TO126	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ADG788	文件：144.7 Kbytes Page：12 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG788BCP	文件：144.7 Kbytes Page：12 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG788BCPZ	文件：175.64 Kbytes Page：11 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,2.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG788BCPZ-REEL	文件：175.64 Kbytes Page：11 Pages	2.5ohm,1.8Vto5.5V,2.5V,-2.5VTriple/QuadSPDTSwitchesinChipScalePackages GENERALDESCRIPTION TheADG786andADG788arelowvoltage,CMOSdevicescomprisingthreeindependentlyselectableSPDT(singlepole,doublethrow)switchesandfourindependentlyselectableSPDTswitchesrespectively. Lowpowerconsumptionandoperatingsupplyrangeof1.8Vto5.5Vanddual±2	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AIMB-788	文件：593.32 Kbytes Page：2 Pages	LGA170012thGenerationIntel®Core™i9/i7/i5/i3ATXMotherboardwithDP/HDMI/VGA,DDR4,USB3.2,M.2 Features Intel®12thgenerationCore™i9/i7/i5/i3&Pentium®/Celeron®processorwith Q670Echipset FourDIMMsocketsupto128GBDDR43200 TripledisplayDP/HDMI/VGAanddualGbELAN M.2,SATARAID0,1,5,10,USB3.2Gen2 SupportsIntelvPro,AMT&TPMtechnologies Advantech	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华研华科技	ADVANTECH
BGE788	文件：103.62 Kbytes Page：8 Pages	750MHz,34dBgainpush-pullamplifier Productprofile 1.1Generaldescription HybridhighdynamicrangeamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatasupply voltageof24V(DC).Themoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascode configuration. 1.2Featuresandbenefits Excellentlinearity Extremelylownoi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BGE788	文件：67.61 Kbytes Page：7 Pages	CATVamplifiermodule Generaldescription HybridhighdynamicrangeamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatasupplyvoltageof24V(DC).Themoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Highgain ■Excellentreturnlossp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGE788	文件：46.58 Kbytes Page：7 Pages	750MHz,34dBgainpush-pullamplifier	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGE788C	文件：44.75 Kbytes Page：7 Pages	750MHz,34dBgainpush-pullamplifier Generaldescription Hybridhighdynamicrangeamplifiermoduleoperatingatasupplyvoltageof24V(DC)inaSOT115Jpackage.Themoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. Features ■Excellentlinearity ■Extremelylownoise ■Highgain ■Excellentreturnlossp	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGE788C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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晶体管资料

型号：
BD788
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,MJE250,MJE251,MJE252,MJE253,MJE254,3CA8C,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
50000100
atest：
4
wtest：
15

产品属性

产品编号：
BD788
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 800mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，3V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 60V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD788供应商更新时间2024-4-29 14:01:00

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