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BD788	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications. Features • Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)60 Vdc (Min) • High Current−Gain − Bandwidth Product fT= 文件：148.19 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD788	文件：148.19 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors BD787 -> NPN BD788 -> PNP 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 15 WATTS . . . designedfor lower power audio amplifier and lowcurrent, high–speed switching applications. • Low Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus)60 Vdc (Min) — BD787, BD78 文件：148.19 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BD788	文件：131.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor COMPLEMENTARY PLASTIC SILICON ANNULAR* POWER TRANSISTORS 4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 45, 6O VOLTS 15 WATTS 文件：131.49 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD788	文件：249.53 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：249.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD788	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors 文件：78.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD788	文件：300 bytes Page：1 Pages	4.0 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor The 4 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for lower power audio amplifier and low current, high speed switching applications. The BD787 and BD788 are complementary devices. • Low Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(sus) 60 Vdc (Min)BD787, BD788\n• High Current-GainBandwidth ProductfT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc\n• Collector-Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc\n• Pb-Free Packages are Available;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD788	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 4A TO126	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD788G	文件：106.84 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications. Features • Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)60 Vdc (Min) • High Current−Gain − Bandwidth Product fT= 文件：106.84 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD788G	文件：78.93 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Plastic Silicon Power Transistors 文件：78.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD7881GU-E2	文件：300 bytes Page：1 Pages	LED照明驱动器 CELLULAR XENON TUBE DRVR	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
BD788
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD190,BD200,MJE250,MJE251,MJE252,MJE253,MJE254,3CA8C,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
50000100
atest：
4
wtest：
15

产品属性

产品编号：
BD788
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 800mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，3V
频率 - 跃迁：
50MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 60V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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