BD788分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BD788 |
参数属性 | BD788 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 4A TO126 |
功能描述 | POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
148.19 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-31 23:01:00 |
人工找货 | BD788价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BD788规格书详情
BD788属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的BD788晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Complementary Plastic Silicon Power Transistors
These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high−speed switching applications.
特性 Features
• Low Collector−Emitter Sustaining Voltage − VCEO(sus)60 Vdc (Min)
• High Current−Gain − Bandwidth Product fT= 50 MHz (Min) @ IC= 100 mAdc
• Collector−Emitter Saturation Voltage Specified at 0.5, 1.0, 2.0 and 4.0 Adc
产品属性
更多- 产品编号:
BD788
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.5V @ 800mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 200mA,3V
- 频率 - 跃迁:
50MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-225AA,TO-126-3
- 供应商器件封装:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP 60V 4A TO126
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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