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CMCP788A-I	文件：502.85 Kbytes Page：2 Pages	Premium Top Entry Accelerometer, Armored Braided Cable Features •PrecisionTopEntryAccelerometer •100mV/g±5 •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralBraidedArmoredCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25MountingStudsIncluded •Sealed	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788A-IP	文件：521.429 Kbytes Page：2 Pages	Premium Top Entry Accelerometer, Submersible Features •PrecisionTopEntryAccelerometer •100mV/g±5 •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralPURCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25MountingStudsIncluded •SealedtoIP68	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788T	文件：512.44 Kbytes Page：2 Pages	PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureand3PinMS5015 Features •DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature •100mV/g±15and10mV/°C •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •3PinMS5015Connector •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25Mounting	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788T-I	文件：505.27 Kbytes Page：2 Pages	PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureandIntegralArmoredBraidedCable Features •DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature •100mV/g±5and10mV/°C •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralBraidedArmorCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25Moun	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CMCP788T-IP	文件：542.09 Kbytes Page：2 Pages	PremiumDualOutputTopEntryAccelerometerwithTemperatureandSubmersiblePURIntegralCable Features •DualOutputPrecisionAccelerometerwithTemperature •100mV/g±5and10mV/°C •150°CMaxTemperatureRange •±80gDynamicRange •IntegralBraidedArmorCable •Class1Division2Approved •Class1Division1ApprovedwithISBarrierorIsolator •¼”-28UNFandM8x1.25Moun	STi STI Vibration Monitoring Inc.	STi
CP788X	文件：705.35 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-LowNoiseAmplifierTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize13.7x13.7MILS DieThickness5.9MILS BaseBondingPadArea4.0x4.0MILS EmitterBondingPadArea5.5x5.5MILS TopSideMetalizationAl-Si-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
D788	文件：31.29 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB738and2SB739	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
DRA788	文件：3.91118 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
DRA788	文件：3.91028 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
DRA788ABF	文件：3.91028 Mbytes Page：269 Pages	DRA78xInfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1

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更多CMCP788A-I供应商更新时间2025-5-16 11:06:00

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