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BCW1012KW	文件：723.75 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS GENERRALDESCRIPTION ThisSingleN-ChannelMOSFEThasbeendesignedusingadvanced PowerTrenchprocesstooptimizetheRDS(ON). FEATURE High-SideSwitching LowOn-Resistance LowThreshold FastSwitchingSpeed ESDprotected APPLICATION Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage12VIntegratedstabilizedbiasnetwork SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5VIntegratedstabilizedbiasnetwork) SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE(Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE •Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •IntegratedbiasNetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFB1012HH	文件：362.9 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
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详细参数

型号：
ZS1012D-T
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 12V 250W
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZS1012D-T供应商更新时间2025-7-16 11:10:00

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